Samsung представила новую флеш-память BV-NAND V10 и zHBM для ИИ

Дата публикации: 07-08-2026 03:22:31

На выставке FMS 2026 Samsung показала сразу несколько новых разработок в области памяти и накопителей. В центре внимания была флеш-память BV-NAND V10, первая в мире память с более чем 400 слоями ячеек, упакованных с помощью специальной технологии, между прочим. По сравнению с предыдущей версией плотность хранения выросла на 58%.

Схожие новости

#	Наименование новости	Тональность	Информативность	Дата публикации
1	Samsung представила сверхбыструю память UFS 5.0 для смартфонов	0	5	24-06-2026
2	Samsung Electronics представила новое поколение памяти для ИИ-чипов	0	19.41	04-08-2026
3	Kioxia и Sandisk создали самую плотную в мире 332-слойную 3D NAND-память	5	7	07-07-2026
4	Новая память zHBM от Samsung: 8x быстрее HBM5 и в 3 раза эффективнее	0	13.77	05-08-2026
5	PM1763: Samsung начинает массовое производство первого SSD с интерфейсом PCIe 6.0	0	7	08-07-2026
6	SSD Samsung 990 поступил в продажу Это нетипичный для линейки ...	0	7	16-07-2026
7	В Сеть утекли объёмы памяти восьмой линейки складных смартфонов Samsung	0	7	25-06-2026
8	Компания Kioxia в опережение конкурентов выпустила образцы флэш-памяти нового поколения для ИИ	5	7	03-07-2026
9	ИИ и рынок памяти: Samsung вернул лидерство, китайская CXMT уверенно растёт	0	16.08	05-08-2026

Классификация: . Схожих патентов: 0. Схожих новостей: 9. Тональность: 0. Информативность: 16.75. Источник: www.ferra.ru.