Компания Micron Technology на правах третьего по величине производителя DRAM в мире приняла участие в конференции Hot Chips 2026, рассказав об актуальных проблемах развития отрасли ИИ именно с точки зрения эволюции технологий производства памяти. По словам представителей Micron, системы искусственного интеллекта начинают всё сильней упираться в своём развитии в так называемую «стену памяти».

Архитектор памяти с высокой пропускной способностью (HBM) Рагху Срираманнени (Raghu Sreeramaneni) от лица компании Micron Technology выразил обеспокоенность несколькими факторами. Во-первых, как уже известно, концентрация отрасли на производстве компонуемой в несколько ярусов вертикально памяти типа HBM3E заметно увеличивает потребление кремниевых пластин, и способствует формированию дефицита той же DDR5. Первый тип памяти требует в три раза больше кремния для своего производства.

Архитектура HBM4, в частности, подразумевает параллельную работу с 256 банками на одном кристалле, тогда как DDR5 ограничивается 32 банками. Это приводит к заметному увеличению расхода кремния и усиливает дефицит памяти, способствуя неуклонному росту цен. С каждым новым поколением HBM разрыв с классической DRAM только увеличивается. При этом в удельном выражении на один контакт HBM уже сейчас стоит в пять раз больше DDR5, и это побуждает производителей жертвовать потребностями клиентов последней в погоне за прибылью от выпуска HBM. Цены на память выросли в этом году в несколько раз, стоимость памяти уже формирует до 35 % нового ПК, а высокие цены на память приведут к тому, что по итогам текущего года рынок ПК сожмётся более чем на 10 %, по версии Gartner.

Во-вторых, вычислительные способности ИИ-ускорителей растут быстрее, чем возможности памяти HBM. Если первые прибавляют в производительности в три раза за два года, то вторая за этот период успевает поднять своё быстродействие менее чем в два раза. Соответственно, ускорители ИИ упираются в пропускную способность памяти, которая сдерживает рост их быстродействия. Сама Micron старается предлагать более быструю HBM4, чем предписывают стандарты JEDEC, но этого вряд ли хватит для сокращения разрыва. В высоту стеки HBM могут спокойно расти до 16 ярусов, но после этого количества дальнейшее масштабирование может сталкиваться с техническими трудностями.

Конкурирующая SK hynix на конференции Hot Chips 2026 заявила, что предельная высота стека будет ограничена 775 микронами до тех пор, пока производители HBM не перейдут на технологию гибридного сращивания, но это случится лишь в рамках изготовления микросхем HBM5. Условия теплоотвода становятся серьёзной проблемой по мере роста плотности компоновки памяти, как признают в Micron. Сильнее всего нагревается при работе базовый кристалл, а он расположен в самом низу стека, на максимальном удалении от радиатора системы охлаждения, который контактирует с верхним кристаллом в стеке. Сейчас Micron уделяет пристальное внимание именно решению проблем термодинамики при разработке HBM. Перегрев становится одной из наиболее явных угроз с точки зрения стабильности работы вычислительной инфраструктуры ИИ.

Аналитики ожидают, что к концу этого года доходность одной кремниевой пластины с DDR5 окажется выше, чем в случае с HBM3E из-за непрерывного роста цен на память первого типа. Производители и так смогут неплохо зарабатывать на DDR5, а поэтому у них останется меньше мотивов для введения в строй дополнительных мощностей по её выпуску. Дефицит DRAM сохранится и в следующем году, как считают многие участники рынка памяти.

Источник:

Материалы по теме

Материалы по теме