Samsung kładzie pamięć bezpośrednio na procesorach. Nadchodzi architektura zHBM dla sztucznej inteligencji

Дата публикации: 14-08-2026 07:00:22

Wraz ze wzrostem złożoności modeli sztucznej inteligencji, fizyczny dystans między procesorem a pamięcią na płycie głównej staje się największym wąskim gardłem. Samsung podczas konferencji FMS 2026 zaprezentował rozwiązanie tego problemu: koncepcyjną architekturę zHBM, w której moduły pamięci będą układane piętrowo bezpośrednio na akceleratorach AI. Pamięć na procesorze zamiast obok Obecnie stosowane pamięci HBM (High Bandwidth...
Jeśli artykuł Samsung kładzie pamięć bezpośrednio na procesorach. Nadchodzi architektura zHBM dla sztucznej inteligencji nie wygląda prawidłowo w Twoim czytniku RSS, to zobacz go na iMagazine.

Основное содержимое страницы с новостью.

Wraz ze wzrostem złożoności modeli sztucznej inteligencji, fizyczny dystans między procesorem a pamięcią na płycie głównej staje się największym wąskim gardłem.

Samsung podczas konferencji FMS 2026 zaprezentował rozwiązanie tego problemu: koncepcyjną architekturę zHBM, w której moduły pamięci będą układane piętrowo bezpośrednio na akceleratorach AI.

Pamięć na procesorze zamiast obok

Obecnie stosowane pamięci HBM (High Bandwidth Memory) montuje się obok procesorów. Model zHBM całkowicie zmienia ten układ. Umieszczenie pamięci bezpośrednio nad układem obliczeniowym skraca fizyczną drogę, jaką muszą pokonać dane.

Dla serwerów trenujących modele AI oznacza to znaczny skok wydajności. Według deklaracji producenta, nowy system ma zapewniać do ośmiokrotnie wyższej wydajności na GPU niż standard HBM5. Co więcej, takie ułożenie ma zaoferować trzykrotnie wyższą efektywność energetyczną i zredukować o ponad połowę rezystancję termiczną, co ułatwi chłodzenie gęsto upakowanych klastrów obliczeniowych.

Przebicie bariery 400 warstw w układach NAND

Koreański producent poinformował również o stworzeniu pierwszych pamięci masowych V10 BV-NAND, które składają się z ponad 400 warstw.

Udało się to osiągnąć dzięki technologii łączenia gotowych płytek półprzewodnikowych (wafer bonding). W praktyce przekłada się to na wzrost gęstości zapisu danych o 58 proc. w porównaniu do poprzedniej generacji V9. Oprócz oszczędności miejsca w serwerowniach, nowe kości mają zaoferować zauważalnie szybsze prędkości odczytu i zapisu (I/O).

Pływające centra danych nowym pomysłem na kryzys AI. Samsung przenosi serwery na wodę

Przetwarzanie bezpośrednio w kości pamięci

Na targach zaprezentowano również koncepcyjne układy zNAND-O (w wersjach 4- i 8-warstwowych), które zoptymalizowano pod kątem środowisk Edge AI, gdzie kluczowe są jak najniższe opóźnienia i natychmiastowe wnioskowanie z danych (np. w systemach analizujących obraz w czasie rzeczywistym).

Uwagę zwraca także technologia LPDDR5X-PIM. To pamięć operacyjna wyposażona w rozwiązanie Processing-in-Memory. Oznacza to, że układ potrafi wstępnie przetwarzać dane bezpośrednio w samej pamięci, zamiast przesyłać je wszystkie do głównego procesora. To kolejny sposób na odciążenie magistrali danych i zmniejszenie zużycia prądu.

Samsung łączy w ten sposób swoje kompetencje z różnych dziedzin. Firma wykorzystuje zaplecze pozwalające na jednoczesne projektowanie pamięci, produkcję zaawansowanych układów scalonych (foundry) i ich ostateczne pakowanie w kompletne, trójwymiarowe podzespoły dla centrów danych.

Схожие новости

#	Наименование новости	Тональность	Информативность	Дата публикации
1	Samsung представила новую флеш-память BV-NAND V10 и zHBM для ИИ	0	16.75	07-08-2026
2	Новая память zHBM от Samsung: 8x быстрее HBM5 и в 3 раза эффективнее	0	13.77	05-08-2026
3	Samsung, iddiaya göre PC’ler için özel bir yapay zeka çipi geliştiriyor	0	5	09-07-2026
4	SanDisk запатентовала гибридную архитектуру памяти для серверов ИИ	0	16.53	22-06-2026
5	Rozbiórka Galaxy Z Fold8 przez iFixit	0	13.25	14-08-2026
6	GenStorAIGE показала систему AI90 с трёхуровневым хранением HBM+DRAM+SSD для ИИ	0	21.35	20-07-2026
7	Samsung And SK Hynix Launch Huge $518 Billion Chip Plant Expansion	5	7	04-07-2026
8	Samsung представила план развития флеш-памяти с объемом до 32 ТБ	0	19.78	24-06-2026
9	Samsung 900-Layer V-NAND Breakthrough Pushes the Industry Closer to the 1,000-Layer Era	5	7	25-05-2026

Классификация: Пресс-релизы. Схожих патентов: 0. Схожих новостей: 9. Тональность: 0. Информативность: 10.55. Источник: imagazine.pl.